세계 최대 메모리 반도체 행사인 'FMS 2026(Future of Memory and Storage)'에서 차세대 AI 메모리 주도권을 둘러싼 기술 전쟁이 본격화되었습니다.
삼성전자와 SK하이닉스는 기존 HBM의 한계를 뛰어넘는 초격차 메모리 아키텍처와 차세대 스토리지 규격을 각각 공개하며 시장의 시선을 사로잡았습니다.
AI 가속기의 성능을 극한으로 끌어올릴 양사의 핵심 기술 차이점과 시장 전망을 한눈에 알기 쉽게 정리해 드립니다.
삼성전자 zHBM: AI 가속기 위에 수직으로 올려 성능 8배 폭발
프로세서 바로 위에 쌓아 올린 3D 차세대 구조
삼성전자가 최초 공개한 zHBM은 AI 가속기(xPU) 옆에 메모리를 배치하던 기존 방식에서 벗어나, 프로세서 바로 위에 HBM을 수직(Z축)으로 적층하는 구조입니다.
연산 장치와 메모리 사이의 물리적 이동 거리를 극단적으로 줄여 데이터 병목 현상을 획기적으로 해결했습니다.
데이터 이동 경로가 짧아진 덕분에 기존 HBM5 적용 시스템 대비 데이터 처리 속도가 무려 8배나 향상되었습니다.
전력 효율 3배 향상과 발열 감소의 혁신
zHBM은 기존 방식 대비 전력 대 성능비(전성비)가 3배 이상 개선되어 대규모 데이터센터의 전력 부담을 대폭 낮췄습니다.
수직 적층 구조의 약점이었던 열 저항 문제도 신기술을 적용해 절반 이하로 낮추는 데 성공했습니다.
삼성전자는 TSV 기술을 접목해 V-NAND를 8단으로 수직 적층한 차세대 'zNAND-O'도 함께 선보이며 3D 메모리 시장 선점을 다졌습니다.
SK하이닉스 HBF: HBM의 속도와 NAND의 용량을 결합한 차세대 규격
샌디스크와 공동 개발한 HBF 첫 표준 규격 발표
SK하이닉스는 글로벌 낸드 기업 샌디스크와 손잡고 차세대 대용량 스토리지 기술인 'HBF(High Bandwidth Flash)'의 첫 표준 규격을 제정해 발표했습니다.
HBF는 HBM 수준의 빠른 데이터 전송 속도와 낸드플래시의 초고용량 저장 능력을 동시에 제공하는 신개념 메모리 계층입니다.
개방형 데이터센터 기술 협력체인 OCP를 통해 표준을 공개하여 AI 스토리지 생태계 확장에 속도를 내고 있습니다.
10세대 375단 4D 낸드와 eSSD 양산 계획
SK하이닉스는 현존 최고 층수인 10세대 375단 4D 낸드 웨이퍼와 실물 제품을 함께 공개했습니다.
이 제품은 이전 세대 대비 전력 대비 성능이 2.5배 향상되어 초고성능 AI 데이터센터에 최적화된 스펙을 자랑합니다.
내년 초 해당 기술이 적용된 고성능·고용량 eSSD 양산에 돌입해 초거대 AI 추론 시장을 적극 공략할 방침입니다.
FMS 2026이 보여준 차세대 메모리 시장의 향방
개발 주기 단축과 한국 메모리 반도체의 위상
이번 FMS 2026에서는 AI 기술의 진화 속도가 가속화되면서 신제품 개발 주기가 기존 18개월에서 12개월로 대폭 단축되었다는 분석이 나왔습니다.
기술 변화에 신속하게 대응하는 기업만이 생존할 수 있는 환경이 조성되고 있습니다.
시장조사업체 연구에 따르면, 이러한 적극적인 적층 구조 혁신과 기술 투자를 바탕으로 한국 반도체 기업들이 2031년까지 글로벌 메모리 왕좌를 유지할 것으로 전망됩니다.
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